本发明公开了一种用于碳化硅CMP的抛光组合物的制备方法，通过如下方法制备：将分散剂、促进剂、pH缓冲剂、润湿剂、络合剂加入水中，搅拌均匀后加入磨料，再加入消泡剂，再用pH调节剂调整溶液的pH值，再陈化。
采用本发明抛光液对碳化硅晶片进行CMP，可以具有较好的去除速率和表面光洁度，粗糙度可达到0.2nm以下。
本发明抛光组合物是良好的碳化硅晶片抛光剂，可替代硬质磨料组合物，改善粗糙度和光洁度，且绿色环保。

宋伟红 蔡庆东

常州时创新材料有限公司

213300 江苏省常州市溧阳市昆仑街道吴潭渡路8号2幢

本发明公开了一种用于碳化硅CMP的抛光组合物的制备方法，通过如下方法制备：将分散剂、促进剂、pH缓冲剂、润湿剂、络合剂加入水中，搅拌均匀后加入磨料，再加入消泡剂，再用pH调节剂调整溶液的pH值，再陈化。
采用本发明抛光液对碳化硅晶片进行CMP，可以具有较好的去除速率和表面光洁度，粗糙度可达到0.2nm以下。
本发明抛光组合物是良好的碳化硅晶片抛光剂，可替代硬质磨料组合物，改善粗糙度和光洁度，且绿色环保。