本发明涉及一种抛光液及对碳化硅晶体的抛光方法。
一种抛光液，包括以下成分：按重量百分比计，纳米级多晶金刚石6‑10％，碱性硅溶胶75‑87％，硅烷偶联剂为1‑2％，抗结晶剂1‑3％，氧化剂1‑2％，双亲性有机物余量。
本发明的抛光液具有良好的润湿铺展性能、较高的软质层去除速率、不易结晶等优点，因此用于碳化硅的抛光解决了抛光速率低以及抛光效果差的问题，此外，该抛光液与粗磨研磨液和精磨研磨液组合使用后，能够实现高速率、高平整度、高光洁度、低粗糙度的抛光效果。

吴月英

北京保利世达科技有限公司

102500 北京市房山区燕山岗南路东一巷6号C座218房间

本发明涉及一种抛光液及对碳化硅晶体的抛光方法。
一种抛光液，包括以下成分：按重量百分比计，纳米级多晶金刚石6‑10％，碱性硅溶胶75‑87％，硅烷偶联剂为1‑2％，抗结晶剂1‑3％，氧化剂1‑2％，双亲性有机物余量。
本发明的抛光液具有良好的润湿铺展性能、较高的软质层去除速率、不易结晶等优点，因此用于碳化硅的抛光解决了抛光速率低以及抛光效果差的问题，此外，该抛光液与粗磨研磨液和精磨研磨液组合使用后，能够实现高速率、高平整度、高光洁度、低粗糙度的抛光效果。