本发明提供一种切割片及切割·芯片接合薄膜，其能够去除切割片的松弛，可以防止半导体元件彼此接触。
涉及一种切割片，其通过在100℃下加热1分钟而收缩，相对于加热前的MD方向的第1长度100％，加热后的MD方向的第2长度为95％以下。
切割片具备基材和配置在基材上的粘合剂层。
切割·芯片接合薄膜具备切割片和配置在粘合剂层上的粘接剂层。

宍户雄一郎 三隅贞仁 大西谦司 柳雄一朗

日东电工株式会社

日本大阪府

本发明提供一种切割片及切割·芯片接合薄膜，其能够去除切割片的松弛，可以防止半导体元件彼此接触。
涉及一种切割片，其通过在100℃下加热1分钟而收缩，相对于加热前的MD方向的第1长度100％，加热后的MD方向的第2长度为95％以下。
切割片具备基材和配置在基材上的粘合剂层。
切割·芯片接合薄膜具备切割片和配置在粘合剂层上的粘接剂层。