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专利摘要

本发明属于金属材料应用技术领域,涉及一种预防铝硅合金硅毒化的细化晶粒方法。
本发明所述的铝硅合金的硅含量在5‑11wt.%,由于硅毒化效应而难以用传统的钛硼系细化剂细化晶粒。
本发明通过预先在高纯铝中加入细化剂形成大量以细化剂为核心的包裹铝原子的形核晶胚,然后外加硅扩散进铝液形成铝硅合金,从而避免硅与钛结合而发生“硅毒化效应”,能有效细化晶粒,发挥细晶强化的作用。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010907127.7
申请日
2020-09-02
公开日
2020-11-27
公开号
CN111996409A
主分类号
/C/C21/ 化学;冶金
标准类别
铁的冶金
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

李发国 谢颖 胡孝愿

申请人

湘潭大学

申请人地址

411100 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘街道湘潭大学材料与工程学院

专利摘要

本发明属于金属材料应用技术领域,涉及一种预防铝硅合金硅毒化的细化晶粒方法。
本发明所述的铝硅合金的硅含量在5‑11wt.%,由于硅毒化效应而难以用传统的钛硼系细化剂细化晶粒。
本发明通过预先在高纯铝中加入细化剂形成大量以细化剂为核心的包裹铝原子的形核晶胚,然后外加硅扩散进铝液形成铝硅合金,从而避免硅与钛结合而发生“硅毒化效应”,能有效细化晶粒,发挥细晶强化的作用。

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