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专利摘要

本发明公开了本发明提供一种膜间结合方式的等离子化学气相沉积法镀疏水膜方法,包括以下步骤:(1)、前处理:将待处理工件放入反应腔,向反应腔内通入C3F6和/或C4F8,在真空条件下以电离的C3F6和/或C4F8对工件表面进行处理;(2)、活化;(3)、汽化:将亲水材料和疏水材料混合均匀得到混合镀膜材料,汽化后的混合镀膜材料进入反应腔;(4)、沉积:设定反应腔内的射频功率位第一功率,在真空度下沉积亲水膜,之后调整反应腔内的射频功率位第二功率,在真空度下沉积疏水膜;(5)、后处理。
本发明的方法具有疏水膜沉积速度快、附着牢固、膜层致密、生产周期短的优点。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010097649.5
申请日
2020-02-17
公开日
2021-07-09
公开号
CN111188032B
主分类号
/C/C23/ 化学;冶金
标准类别
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

吕伟桃 梁宸

申请人

佛山市思博睿科技有限公司

申请人地址

528000 广东省佛山市南海区桂城街道平西上海村东平路北侧瀚天科技城B区产业区3号楼一楼102号(住所申报)

专利摘要

本发明公开了本发明提供一种膜间结合方式的等离子化学气相沉积法镀疏水膜方法,包括以下步骤:(1)、前处理:将待处理工件放入反应腔,向反应腔内通入C3F6和/或C4F8,在真空条件下以电离的C3F6和/或C4F8对工件表面进行处理;(2)、活化;(3)、汽化:将亲水材料和疏水材料混合均匀得到混合镀膜材料,汽化后的混合镀膜材料进入反应腔;(4)、沉积:设定反应腔内的射频功率位第一功率,在真空度下沉积亲水膜,之后调整反应腔内的射频功率位第二功率,在真空度下沉积疏水膜;(5)、后处理。
本发明的方法具有疏水膜沉积速度快、附着牢固、膜层致密、生产周期短的优点。

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