本发明涉及氮化硅膜的成膜方法、成膜装置以及存储介质。
提供一种能够在通过ALD法针对多个被处理基板形成氮化硅膜时降低所形成的氮化硅膜的应力的技术。
在通过ALD法针对多个被处理体统一形成氮化硅膜时，在各循环中，在使成膜原料吸附的步骤与氮化的步骤之间实施在处理容器内生成氢自由基来进行氢自由基吹扫的步骤，来促进在所形成的氮化硅膜的Si‑N键合，从而降低所形成的氮化硅膜的拉伸应力。

户根川大和

东京毅力科创株式会社

日本东京都

本发明涉及氮化硅膜的成膜方法、成膜装置以及存储介质。
提供一种能够在通过ALD法针对多个被处理基板形成氮化硅膜时降低所形成的氮化硅膜的应力的技术。
在通过ALD法针对多个被处理体统一形成氮化硅膜时，在各循环中，在使成膜原料吸附的步骤与氮化的步骤之间实施在处理容器内生成氢自由基来进行氢自由基吹扫的步骤，来促进在所形成的氮化硅膜的Si‑N键合，从而降低所形成的氮化硅膜的拉伸应力。