本发明涉及一种用于真空腔（175）中的3D基体的真空涂覆的装置，其具有：用于3D基体的基体承载设备（21），所述基体承载设备具有围绕纵轴线（40）能够转动的塔架（41），所述塔架具有用于基体的保持装置，和配属给所述塔架（41）的等离子体CVD放电装置，根据本发明规定，所述等离子体CVD放电装置对于3D基体的真空处理是适合和适配的，所述等离子体CVD放电装置包括大于两个板状的具有激励面的电极，所述电极的激励面全部朝所述塔架（41）定向，并且功率供应装置被设置用于：借助于至少一个施加到所述电极中的至少两个电极处的电压来激励等离子体放电，其中，被激励的等离子体至少加载所述塔架（41）的部分并且加载能够布置在所述塔架处的基体。
在所述方法中规定，所述真空涂覆借助于根据前述权利要求中任一项所述的装置进行。

T.施毛德 L.乌尔班 W.迪肯 J.特鲁贝

布勒阿尔策瑙有限责任公司

德国阿尔策瑙

本发明涉及一种用于真空腔（175）中的3D基体的真空涂覆的装置，其具有：用于3D基体的基体承载设备（21），所述基体承载设备具有围绕纵轴线（40）能够转动的塔架（41），所述塔架具有用于基体的保持装置，和配属给所述塔架（41）的等离子体CVD放电装置，根据本发明规定，所述等离子体CVD放电装置对于3D基体的真空处理是适合和适配的，所述等离子体CVD放电装置包括大于两个板状的具有激励面的电极，所述电极的激励面全部朝所述塔架（41）定向，并且功率供应装置被设置用于：借助于至少一个施加到所述电极中的至少两个电极处的电压来激励等离子体放电，其中，被激励的等离子体至少加载所述塔架（41）的部分并且加载能够布置在所述塔架处的基体。
在所述方法中规定，所述真空涂覆借助于根据前述权利要求中任一项所述的装置进行。