本发明公开了一种新型InGaN基光阳极的制备方法,具体按照以下步骤实施:步骤1、在酸性溶液中,采用光电化学刻蚀技术对GaN多层结构进行恒电压刻蚀,制备出中孔GaN镜;步骤2、以中孔GaN镜为衬底,先采用MOCVD技术外延生长InGaN/GaN层,通过能带工程调制In组分,调制其带隙,然后采用电子束蒸发技术,蒸镀欧姆接触电极,制备出InGaN基光阳极;本发明的方法能够制备出开启电压低、效率高及稳定性强的光阳极电极。
曹得重
西安工程大学
710048 陕西省西安市碑林区金花南路19号
本发明公开了一种新型InGaN基光阳极的制备方法,具体按照以下步骤实施:步骤1、在酸性溶液中,采用光电化学刻蚀技术对GaN多层结构进行恒电压刻蚀,制备出中孔GaN镜;步骤2、以中孔GaN镜为衬底,先采用MOCVD技术外延生长InGaN/GaN层,通过能带工程调制In组分,调制其带隙,然后采用电子束蒸发技术,蒸镀欧姆接触电极,制备出InGaN基光阳极;本发明的方法能够制备出开启电压低、效率高及稳定性强的光阳极电极。