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专利摘要

本发明提出一种Zr基高熵合金材料及Zr基高熵合金表面合成多孔球状结构的方法,属于金属表面处理技术领域。
Zr基高熵合金材料的表面具有多孔的球状结构,球状结构的直径在2~5μm之间;其制备方法为:采用先选择性溶解再阳极氧化的方法,控制选择性溶解的条件为:HNO

专利状态

基础信息

专利号
CN201911393681.1
申请日
2019-12-30
公开日
2020-11-20
公开号
CN111058076B
主分类号
/C/C25/ 化学;冶金
标准类别
电解或电泳工艺;其所用设备
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

何世伟 吴天益 孙利 樊友奇 肖赛君

申请人

安徽工业大学

申请人地址

243002 安徽省马鞍山市湖东路59号

专利摘要

本发明提出一种Zr基高熵合金材料及Zr基高熵合金表面合成多孔球状结构的方法,属于金属表面处理技术领域。
Zr基高熵合金材料的表面具有多孔的球状结构,球状结构的直径在2~5μm之间;其制备方法为:采用先选择性溶解再阳极氧化的方法,控制选择性溶解的条件为:HNO

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