本发明属于电化学腐蚀与硅微结构制备技术领域，涉及多孔硅‑金枝晶复合结构的快速制备方法；具体步骤为：首先选择硅片，经切割、清洗，得到预处理后的硅片；然后将氢氟酸、二甲基甲酰胺和四氯金酸溶液，混合，得到电化学腐蚀液；浸入预处理后的硅片，同时施加恒定的电流，进行电化学腐蚀，一步处理即可得到多孔硅‑金枝晶复合结构；最后将制备的多孔硅‑金枝晶复合结构清洗后，获得最终的复合结构；本发明的通过配制电化学腐蚀液，浸入硅片，实现多孔硅‑金纳米复合结构的单步快速制备，并通过改变四氯金酸溶液浓度，对复合结构的SERS性能进行调控；本发明步骤简单、操作方便、用时短，能快速、高效的制备出多孔硅‑金枝晶复合结构。

葛道晗 张远 丁杰 张立强

江苏大学

212013 江苏省镇江市京口区学府路301号

本发明属于电化学腐蚀与硅微结构制备技术领域，涉及多孔硅‑金枝晶复合结构的快速制备方法；具体步骤为：首先选择硅片，经切割、清洗，得到预处理后的硅片；然后将氢氟酸、二甲基甲酰胺和四氯金酸溶液，混合，得到电化学腐蚀液；浸入预处理后的硅片，同时施加恒定的电流，进行电化学腐蚀，一步处理即可得到多孔硅‑金枝晶复合结构；最后将制备的多孔硅‑金枝晶复合结构清洗后，获得最终的复合结构；本发明的通过配制电化学腐蚀液，浸入硅片，实现多孔硅‑金纳米复合结构的单步快速制备，并通过改变四氯金酸溶液浓度，对复合结构的SERS性能进行调控；本发明步骤简单、操作方便、用时短，能快速、高效的制备出多孔硅‑金枝晶复合结构。