本发明涉及一种通过FZ法拉制单晶的方法,其中多晶(100)通过电磁熔化装置熔化然后再结晶,其中在第一阶段中所述多晶(100)的下端通过熔化装置熔化,其中在第二阶段中,单晶晶种(140)附着到所述多晶(100)的下端,其中在第三阶段中,在所述晶种(140)的下部和在多晶体(100)之间,形成直径小于所述晶种(140)的直径的细颈区域,其中在第三阶段之前,所述熔化装置(300)的功率根据在所述晶种(140)部分上液体材料与固体材料之间的下相界(PU)的位置至少暂时地动态调整,并且在第三阶段期间熔化装置的功率根据在多晶(100)部分上液体材料与固体材料之间的上相界(PO)的位置至少暂时地动态调整,以及涉及一种相应的设备。
T·施勒克
硅电子股份公司
德国慕尼黑
本发明涉及一种通过FZ法拉制单晶的方法,其中多晶(100)通过电磁熔化装置熔化然后再结晶,其中在第一阶段中所述多晶(100)的下端通过熔化装置熔化,其中在第二阶段中,单晶晶种(140)附着到所述多晶(100)的下端,其中在第三阶段中,在所述晶种(140)的下部和在多晶体(100)之间,形成直径小于所述晶种(140)的直径的细颈区域,其中在第三阶段之前,所述熔化装置(300)的功率根据在所述晶种(140)部分上液体材料与固体材料之间的下相界(PU)的位置至少暂时地动态调整,并且在第三阶段期间熔化装置的功率根据在多晶(100)部分上液体材料与固体材料之间的上相界(PO)的位置至少暂时地动态调整,以及涉及一种相应的设备。