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专利摘要

化合物硅酸铅锶和硅酸铅锶非线性光学晶体及制备方法和用途,化合物硅酸铅锶非线性光学晶体化学式均为PbSrSiO

专利状态

基础信息

专利号
CN201910794040.0
申请日
2019-08-27
公开日
2021-05-18
公开号
CN110408995B
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

吴红萍 姜姝彤 俞洪伟

申请人

天津理工大学

申请人地址

300384 天津市西青区宾水西道391号

专利摘要

化合物硅酸铅锶和硅酸铅锶非线性光学晶体及制备方法和用途,化合物硅酸铅锶非线性光学晶体化学式均为PbSrSiO

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