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专利摘要

本实用新型公开了一种温度可控的单晶体生产用烧结炉,包括烧结炉、隔热板、固定块、限流圈和驱动装置,所述烧结炉侧面分别设有进气口和排气口,且烧结炉顶部设有防爆孔,所述隔热板焊接在烧结炉内侧,且隔热板下方一体化连接有助燃圈,所述固定块焊接在烧结炉中部,且固定块中部设有烧结槽,所述限流圈侧面设有通气孔,所述驱动装置螺栓固定在烧结炉底部,且驱动装置通过传动轴与传动齿轮连接。
该温度可控的单晶体生产用烧结炉通过转动助燃圈外侧的限流圈,来改变进入烧结炉内部的空气流量,从而实现对烧结炉内部温度的调节,提高了烧结炉的调节精度,同时,通过注入惰性气体来吸收炉内热流,加快了烧结炉的降温速率。

专利状态

基础信息

专利号
CN201921269522.6
申请日
2019-08-07
公开日
2020-04-14
公开号
CN210314556U
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

林志高

申请人

福建鑫磊晶体有限公司

申请人地址

352300 福建省宁德市屏南县溪坪工业区

专利摘要

本实用新型公开了一种温度可控的单晶体生产用烧结炉,包括烧结炉、隔热板、固定块、限流圈和驱动装置,所述烧结炉侧面分别设有进气口和排气口,且烧结炉顶部设有防爆孔,所述隔热板焊接在烧结炉内侧,且隔热板下方一体化连接有助燃圈,所述固定块焊接在烧结炉中部,且固定块中部设有烧结槽,所述限流圈侧面设有通气孔,所述驱动装置螺栓固定在烧结炉底部,且驱动装置通过传动轴与传动齿轮连接。
该温度可控的单晶体生产用烧结炉通过转动助燃圈外侧的限流圈,来改变进入烧结炉内部的空气流量,从而实现对烧结炉内部温度的调节,提高了烧结炉的调节精度,同时,通过注入惰性气体来吸收炉内热流,加快了烧结炉的降温速率。

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