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专利摘要

本实用新型提供了一种区熔炉籽晶切除装置,包括导轨、气动剪和连接杆,所述导轨一端固定连接在炉室外侧壁上,所述连接杆后端通过传送机构连接在导轨上,前端伸入炉室并连接有气动剪,所述气动剪上通过气路与炉室外侧的气源连接,所述气动剪、传送机构均连接至PLC。
本实用新型有益效果:在不开炉的情况下,利用气动剪将籽晶夹头上断棱、断苞的单晶头部连同一部分籽晶一起剪下,籽晶夹头上剩余的籽晶继续用作拉晶使用;该装置节约工时,省去了更换籽晶的工序。

专利状态

基础信息

专利号
CN202020474771.5
申请日
2020-04-02
公开日
2020-12-18
公开号
CN212175073U
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

李伟凡 安爱博 孙健 王聚安 王彦君

申请人

中环领先半导体材料有限公司 天津中环领先材料技术有限公司

申请人地址

214200 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道

专利摘要

本实用新型提供了一种区熔炉籽晶切除装置,包括导轨、气动剪和连接杆,所述导轨一端固定连接在炉室外侧壁上,所述连接杆后端通过传送机构连接在导轨上,前端伸入炉室并连接有气动剪,所述气动剪上通过气路与炉室外侧的气源连接,所述气动剪、传送机构均连接至PLC。
本实用新型有益效果:在不开炉的情况下,利用气动剪将籽晶夹头上断棱、断苞的单晶头部连同一部分籽晶一起剪下,籽晶夹头上剩余的籽晶继续用作拉晶使用;该装置节约工时,省去了更换籽晶的工序。

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