目录

专利摘要

本发明公开了一种超高纯碲的制备方法,属于高纯金属材料领域。
本发明将原料碲置于内部设有挡板的容器内,并使原料碲位于挡板的一侧,然后在保护气保护下将原料碲加热至完全熔化,控制原料碲所处侧的碲熔体的液面位于挡板的通孔的上方,以使原料碲内所含杂质碳粉和氧化物被拦截在挡板的一侧,确保通过通孔流向另一侧的碲熔体的杂质含量降低,将这部分碲熔体冷凝后用于制备超高纯碲,不仅提高了提纯效率,还使所得超高纯碲表面光亮,无氧化物,无需进行后续处理。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010630157.8
申请日
2020-07-02
公开日
2020-11-13
公开号
CN111924811A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

黄杰杰 朱刘 何志达 李清宇

申请人

清远先导材料有限公司

申请人地址

511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号

专利摘要

本发明公开了一种超高纯碲的制备方法,属于高纯金属材料领域。
本发明将原料碲置于内部设有挡板的容器内,并使原料碲位于挡板的一侧,然后在保护气保护下将原料碲加热至完全熔化,控制原料碲所处侧的碲熔体的液面位于挡板的通孔的上方,以使原料碲内所含杂质碳粉和氧化物被拦截在挡板的一侧,确保通过通孔流向另一侧的碲熔体的杂质含量降低,将这部分碲熔体冷凝后用于制备超高纯碲,不仅提高了提纯效率,还使所得超高纯碲表面光亮,无氧化物,无需进行后续处理。

相似专利技术