目录

专利摘要

一种单晶高温合金基体上外延生长单晶MCrAlY涂层的制备方法,所述方法将单晶高温合金基体采用砂纸打磨试样表面,去除表面层应力和氧化物;采用丙酮超声清洗吹干;将MCrAlY粉末在干燥箱中干燥,采用压片机压成一定厚度的薄片后放置于高温合金基体表面;采用电子束熔覆设备将粉末薄片熔覆在基体上形成涂层。
本发明为单晶高温合金基体表面外延生长MCrAlY单晶涂层提供了一种新的方法,本方法可一次性制备较厚的与基体取向一致的单晶涂层,且涂层中杂晶组织少,基体无需预热等。
本发明可用于所有单晶高温合金基体上单晶涂层的制备。

专利状态

基础信息

专利号
CN201911125525.7
申请日
2019-11-18
公开日
2020-02-25
公开号
CN110835756A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

王文琴 肖晟 王德 李玉龙 艾凡荣 刘东雷

申请人

南昌大学

申请人地址

330013 江西省南昌市红谷滩新区前湖大道999号

专利摘要

一种单晶高温合金基体上外延生长单晶MCrAlY涂层的制备方法,所述方法将单晶高温合金基体采用砂纸打磨试样表面,去除表面层应力和氧化物;采用丙酮超声清洗吹干;将MCrAlY粉末在干燥箱中干燥,采用压片机压成一定厚度的薄片后放置于高温合金基体表面;采用电子束熔覆设备将粉末薄片熔覆在基体上形成涂层。
本发明为单晶高温合金基体表面外延生长MCrAlY单晶涂层提供了一种新的方法,本方法可一次性制备较厚的与基体取向一致的单晶涂层,且涂层中杂晶组织少,基体无需预热等。
本发明可用于所有单晶高温合金基体上单晶涂层的制备。

相似专利技术