本发明公开了一种高效调控CVD单晶金刚石局部区域位错密度的方法。
本方法采用等离子体刻蚀、表面形貌检测以及正交偏光成像等复合技术，能够快速、无损判断金刚石衬底中的高位错密度区域。
通过飞秒激光等高能粒子束，对金刚石衬底中高位错密度区域进行灵活、高效的图形化加工。
结合在图形化区域中掩膜材料的选取与铺设，此方法能够阻断加工图案底部区域位错向CVD金刚石生长层的延伸，调控图案侧面区域位错线的延伸方向，释放图形化区域生长过程中的应力，从而能够有效降低CVD金刚石生长层中局部区域的位错密度和残余应力，实现对生长层中缺陷和结晶质量的针对性调控，提高CVD金刚石生长的均匀性和晶体质量。

刘胜 吴改 汪启军 东芳 曹强 甘志银

武汉大学

430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学

本发明公开了一种高效调控CVD单晶金刚石局部区域位错密度的方法。
本方法采用等离子体刻蚀、表面形貌检测以及正交偏光成像等复合技术，能够快速、无损判断金刚石衬底中的高位错密度区域。
通过飞秒激光等高能粒子束，对金刚石衬底中高位错密度区域进行灵活、高效的图形化加工。
结合在图形化区域中掩膜材料的选取与铺设，此方法能够阻断加工图案底部区域位错向CVD金刚石生长层的延伸，调控图案侧面区域位错线的延伸方向，释放图形化区域生长过程中的应力，从而能够有效降低CVD金刚石生长层中局部区域的位错密度和残余应力，实现对生长层中缺陷和结晶质量的针对性调控，提高CVD金刚石生长的均匀性和晶体质量。