本发明涉及一种利用脉冲激光触发形核的方法，采用脉冲激光照射过冷熔体使其发生结构重排，以析出晶核；所述过冷熔体为氧化硅过冷熔体、或金属氧化物过冷熔体。

杨莉萍 李会东 钟秋 陶冶 徐子君 汪文兵 雒彩云

中国科学院上海硅酸盐研究所

200050 上海市长宁区定西路1295号

本发明涉及一种利用脉冲激光触发形核的方法，采用脉冲激光照射过冷熔体使其发生结构重排，以析出晶核；所述过冷熔体为氧化硅过冷熔体、或金属氧化物过冷熔体。