本发明提供一种硅晶圆的清洗方法，其是将硅晶圆进行SC1清洗后，利用具有氧化性的清洗液进行清洗的硅晶圆的清洗方法，其特征在于，通过利用所述具有氧化性的清洗液清洗因所述SC1清洗而形成于该硅晶圆的表面的化学氧化膜，从而使所述化学氧化膜的厚度成长为1.0nm以上。
由此提供一种具有良好的微粒质量且能够形成稳定的化学氧化膜的硅晶圆的清洗方法。

阿部达夫 五十岚健作 大关正彬

信越半导体株式会社

日本东京都

本发明提供一种硅晶圆的清洗方法，其是将硅晶圆进行SC1清洗后，利用具有氧化性的清洗液进行清洗的硅晶圆的清洗方法，其特征在于，通过利用所述具有氧化性的清洗液清洗因所述SC1清洗而形成于该硅晶圆的表面的化学氧化膜，从而使所述化学氧化膜的厚度成长为1.0nm以上。
由此提供一种具有良好的微粒质量且能够形成稳定的化学氧化膜的硅晶圆的清洗方法。