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专利摘要

本发明涉及一种快速制备NiSn

专利状态

基础信息

专利号
CN202010337787.6
申请日
2020-04-26
公开日
2021-04-06
公开号
CN111379029B
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

陈捷狮 杨明远 曾志 杨瑾 张泽强 尹志康 孟玄

申请人

上海工程技术大学

申请人地址

201620 上海市松江区龙腾路333号

专利摘要

本发明涉及一种快速制备NiSn

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