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专利摘要

一种由钨或钼的基体材料或基于钨或钼的材料制造的具有壁(3)的坩埚(1),其特征在于阻挡层(2)至少部分被配置在壁(3)的外侧(6)和/或壁(3)中,阻挡层(2)由具有对于碳和/或氧比基体材料更高的亲和度的金属材料制造。

专利状态

基础信息

专利号
CN201780009775.7
申请日
2017-01-26
公开日
2018-11-23
公开号
CN108884591A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

迈克尔·马克 汉尼斯·特拉克斯勒 迈克尔·奥沙利文 沃尔夫拉姆·克纳布尔 亚力山大·洛里奇 罗伯特·席夫特纳

申请人

普兰西股份有限公司

申请人地址

奥地利乐特市

专利摘要

一种由钨或钼的基体材料或基于钨或钼的材料制造的具有壁(3)的坩埚(1),其特征在于阻挡层(2)至少部分被配置在壁(3)的外侧(6)和/或壁(3)中,阻挡层(2)由具有对于碳和/或氧比基体材料更高的亲和度的金属材料制造。

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