本发明提供一种发光元件和发光元件的制造方法。
所述发光元件包括：基板；发光结构体，布置于所述基板上，且包括n型半导体层、p型半导体层以及位于所述n型半导体层与所述p型半导体层之间的活性层；ITO层，欧姆接触于所述p型半导体层；ZnO透明电极层，在所述p型半导体层上覆盖所述ITO层的上表面及侧面，并具有逆倾斜的侧面；分布式布拉格反射器，与所述发光结构体相向而布置于所述基板下表面；n电极，布置于所述n型半导体层上；以及p电极，布置于所述p型半导体层上。

李珍雄 申赞燮 李锦珠 李剡劤 梁明学 雅克布·J·理查德森 埃文·C·奥哈拉

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韩国京畿道安山市

本发明提供一种发光元件和发光元件的制造方法。
所述发光元件包括：基板；发光结构体，布置于所述基板上，且包括n型半导体层、p型半导体层以及位于所述n型半导体层与所述p型半导体层之间的活性层；ITO层，欧姆接触于所述p型半导体层；ZnO透明电极层，在所述p型半导体层上覆盖所述ITO层的上表面及侧面，并具有逆倾斜的侧面；分布式布拉格反射器，与所述发光结构体相向而布置于所述基板下表面；n电极，布置于所述n型半导体层上；以及p电极，布置于所述p型半导体层上。