本发明属于碳化硅溶液法技术领域，尤其涉及一种生长高品质碳化硅晶须的方法，采用了以一种生长装置实现，通过将晶须收集棒和收集板浸入到石墨坩埚中的碳化硅溶液中，通过调整合成位置和合成温度，可调控生长晶须。
采用本发明提供了一种生产高品质SiC晶须的方法，生产过程简单，操作性强，生产成本低，可批量化生长可控尺寸的高品质碳化硅晶须。

朱灿 李斌 宋生 张亮

山东天岳晶体材料有限公司

250118 山东省济南市槐荫区美里湖美里路中段

本发明属于碳化硅溶液法技术领域，尤其涉及一种生长高品质碳化硅晶须的方法，采用了以一种生长装置实现，通过将晶须收集棒和收集板浸入到石墨坩埚中的碳化硅溶液中，通过调整合成位置和合成温度，可调控生长晶须。
采用本发明提供了一种生产高品质SiC晶须的方法，生产过程简单，操作性强，生产成本低，可批量化生长可控尺寸的高品质碳化硅晶须。