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专利摘要

一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法,所提供的BiCuSeO单晶体气相输运生长方法具有装置简单、易于操作等优点。
所制备的BiCuSeO单晶体材料,具有很高的晶体质量,所述BiCuSeO单晶体的尺寸达毫米级,面积达平方毫米级,所述单晶体材料提供了一个理想的系统来阐明材料的固有物理性能。
这对研究如何有效地提高BiCuSeO基热电材料的热电性能以便开发相关热电器件具有重要的意义。
所提供的BiCuSeO单晶体是一种氧化物热电材料,可用作理想的高温热电材料用来开发相关热电器件。
气相输运法生长晶体,具有生长的晶体纯度高、品质高、成本低、可操作性强等优点。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910075768.8
申请日
2019-01-25
公开日
2021-04-27
公开号
CN110408989B
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

吕洋洋 陈思思 林大钧 陈延彬 姚淑华 周健 陈延峰

申请人

南京大学

申请人地址

210023 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号

专利摘要

一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法,所提供的BiCuSeO单晶体气相输运生长方法具有装置简单、易于操作等优点。
所制备的BiCuSeO单晶体材料,具有很高的晶体质量,所述BiCuSeO单晶体的尺寸达毫米级,面积达平方毫米级,所述单晶体材料提供了一个理想的系统来阐明材料的固有物理性能。
这对研究如何有效地提高BiCuSeO基热电材料的热电性能以便开发相关热电器件具有重要的意义。
所提供的BiCuSeO单晶体是一种氧化物热电材料,可用作理想的高温热电材料用来开发相关热电器件。
气相输运法生长晶体,具有生长的晶体纯度高、品质高、成本低、可操作性强等优点。

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