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专利摘要

本发明提供一种铜晶须的制备方法,包括:1)提供铜基材,将所述铜基材置于硫源溶液中进行硫化反应,以在所述铜基材表面形成铜的硫化物;2)对表面具有铜的硫化物的所述铜基材进行清洗及干燥处理;3)对表面具有铜的硫化物的所述铜基材置于还原气氛中进行还原反应,以在所述铜基材表面生长形成铜晶须。
本发明的制备方法重复性高、简单易行,适用于铜晶须的规模批量制备。
本发明可以通过控制铜硫化反应的程度以及还原反应的程度来控制铜晶须的生长速度和尺寸。
本发明利用不同的铜基材,可实现铜线、铜板、铜粉等上晶须的生长,增强或拓展基材的性能。

专利状态

基础信息

专利号
CN201810468715.8
申请日
2018-05-16
公开日
2018-09-25
公开号
CN108570710A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

张燕辉 于广辉 陈志蓥 隋妍萍

申请人

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请人地址

200050 上海市长宁区长宁路865号

专利摘要

本发明提供一种铜晶须的制备方法,包括:1)提供铜基材,将所述铜基材置于硫源溶液中进行硫化反应,以在所述铜基材表面形成铜的硫化物;2)对表面具有铜的硫化物的所述铜基材进行清洗及干燥处理;3)对表面具有铜的硫化物的所述铜基材置于还原气氛中进行还原反应,以在所述铜基材表面生长形成铜晶须。
本发明的制备方法重复性高、简单易行,适用于铜晶须的规模批量制备。
本发明可以通过控制铜硫化反应的程度以及还原反应的程度来控制铜晶须的生长速度和尺寸。
本发明利用不同的铜基材,可实现铜线、铜板、铜粉等上晶须的生长,增强或拓展基材的性能。

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