目录

专利摘要

本发明提供一种多晶硅棒。
通过FZ法使多晶硅棒单晶化时,不会发生错位且能够稳定地进行单晶化时的控制。
多晶硅棒(11)具有多晶硅构成的种棒(11a)、以及在该种棒(11a)的外周面通过CVD法析出的多晶硅析出体(11b)。
该多晶硅棒(11)被用作通过FZ法制备硅单晶的原料。
另外,多晶硅棒(11)的直径为77mm以下,用光学显微镜以相对于种棒(11a)的轴线正交的截面观察多晶硅棒(11)时,长度为288μm以下且上述截面中的占有面积比例为78%以上的针状结晶在多晶硅析出体(11b)中以种棒(11a)为中心放射状地均匀分布。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010558365.1
申请日
2013-06-20
公开日
2020-09-11
公开号
CN111647943A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

海东良一

申请人

三菱综合材料株式会社

申请人地址

日本东京

专利摘要

本发明提供一种多晶硅棒。
通过FZ法使多晶硅棒单晶化时,不会发生错位且能够稳定地进行单晶化时的控制。
多晶硅棒(11)具有多晶硅构成的种棒(11a)、以及在该种棒(11a)的外周面通过CVD法析出的多晶硅析出体(11b)。
该多晶硅棒(11)被用作通过FZ法制备硅单晶的原料。
另外,多晶硅棒(11)的直径为77mm以下,用光学显微镜以相对于种棒(11a)的轴线正交的截面观察多晶硅棒(11)时,长度为288μm以下且上述截面中的占有面积比例为78%以上的针状结晶在多晶硅析出体(11b)中以种棒(11a)为中心放射状地均匀分布。

相似专利技术

无相关信息