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专利摘要

一种提高半水硫酸钙晶须稳定性的常温改性方法,采用单掺草酸钠、氟化钠和海藻酸钠作为改性剂,无水乙醇和去离子水作为复合改性介质,基于溶度积原理,选用生成沉淀溶度积远小于硫酸钙且能溶于复合介质中的改性剂,控制复合介质体积比,使溶液介电常数下降,降低半水硫酸钙溶解度,通过沉淀转化的方式对半水硫酸钙晶须进行表面改性,本发明是在常温状态下得到了与无机基体相容性良好的改性半水硫酸钙晶须,改性制备成本低,改性介质可重复利用,对半水硫酸钙晶须的广泛应用具有重要的指导意义。

专利状态

基础信息

专利号
CN201810054309.7
申请日
2018-01-19
公开日
2020-12-01
公开号
CN108360070B
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

陈畅 李国新 史思涛 郭政

申请人

西安建筑科技大学

申请人地址

710055 陕西省西安市雁塔路13号

专利摘要

一种提高半水硫酸钙晶须稳定性的常温改性方法,采用单掺草酸钠、氟化钠和海藻酸钠作为改性剂,无水乙醇和去离子水作为复合改性介质,基于溶度积原理,选用生成沉淀溶度积远小于硫酸钙且能溶于复合介质中的改性剂,控制复合介质体积比,使溶液介电常数下降,降低半水硫酸钙溶解度,通过沉淀转化的方式对半水硫酸钙晶须进行表面改性,本发明是在常温状态下得到了与无机基体相容性良好的改性半水硫酸钙晶须,改性制备成本低,改性介质可重复利用,对半水硫酸钙晶须的广泛应用具有重要的指导意义。

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