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专利名称
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专利号
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申请日期
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专利状态
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1 | 大功率半导体器件相变冷却性能测试系统 | CN202110329689.2 | 2021-03-29 | 有效专利 |
2 | 氧化物材料及半导体器件 | CN201710165341.8 | 2011-12-07 | 审查中-实审 |
3 | 一种半导体器件电镀方法及用于电镀的活化槽 | CN201910802764.5 | 2019-08-28 | 审查中-实审 |
4 | 用于在半导体器件制造过程中从硅-锗/硅堆叠同时去除硅和硅-锗合金的蚀刻溶液 | CN201880063847.0 | 2018-09-28 | 有效专利 |
5 | 热熔型有机聚硅氧烷组合物、荧光体片材及半导体器件 | CN201710894231.5 | 2017-09-28 | 审查中-实审 |
6 | 制造具有晶体管单元的半导体器件的方法以及半导体器件 | CN201710160474.6 | 2017-03-17 | 有效专利 |
7 | 半导体器件及其制作方法 | CN201910601550.1 | 2019-07-04 | 审查中-实审 |
8 | 半导体器件及其形成方法 | CN201910897680.4 | 2014-03-14 | 有效专利 |
9 | 一种半导体器件的制造方法 | CN201711117419.5 | 2017-11-13 | 有效专利 |
10 | 一种半导体器件的制造方法 | CN201711399086.X | 2017-12-21 | 有效专利 |
11 | 半导体器件切筋装置 | CN202110458712.8 | 2021-04-27 | 有效专利 |