公开了制造具有晶体管单元的半导体器件的方法以及半导体器件。
第一加强条（361）形成在基底衬底（100a）的处理表面（101a）上。
覆盖第一加强条（361）的第一外延层（100b）形成在第一处理表面（101a）上。
第二加强条（362）形成在第一外延层（100b）上。
覆盖第二加强条（362）的第二外延层（100c）形成在第一外延层（100b）的暴露部分上。
晶体管单元（TC）的半导体部分形成在第二外延层（100c）中，或者微机电结构（MS）的部分由第二外延层（100c）形成。

J.鲍姆加特尔 O.布兰克 O.黑尔蒙的 R.K.约希 M.佩尔茨尔

英飞凌科技股份有限公司

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号

公开了制造具有晶体管单元的半导体器件的方法以及半导体器件。
第一加强条（361）形成在基底衬底（100a）的处理表面（101a）上。
覆盖第一加强条（361）的第一外延层（100b）形成在第一处理表面（101a）上。
第二加强条（362）形成在第一外延层（100b）上。
覆盖第二加强条（362）的第二外延层（100c）形成在第一外延层（100b）的暴露部分上。
晶体管单元（TC）的半导体部分形成在第二外延层（100c）中，或者微机电结构（MS）的部分由第二外延层（100c）形成。