一种半桥电路并联无源均流电路
摘要文本
本发明公开了一种半桥电路并联无源均流电路，属于电子应用技术领域。本发明解决了半桥模块电路在并联使用时出现的各自半桥电路流通电流不一致的问题。适用于各类使用半桥结构电路的场合，本发明杜绝了使用成本高昂的均流芯片，使用成本可以控制到很低，使用范围也较为广泛，特别适用在输出电流较大的电源中，使用方便，外接电路简单明了，没有额外使用均流芯片，不需要额外供电，且较使用均流芯片的电路来讲具有更高的使用稳定性。 （来源 专利查询网）
申请人信息
- 申请人:昆明理工大学
- 申请人地址:650093 云南省昆明市五华区学府路253号
- 发明人: 昆明理工大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半桥电路并联无源均流电路 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201811086675.7 |
| 申请日 | 2018年9月18日 |
| 公告号 | CN109194116B |
| 公开日 | 2024年1月26日 |
| IPC主分类号 | H02M3/00 |
| 权利人 | 昆明理工大学 |
| 发明人 | 李思奇; 李得菘; 舒文彬; 荣恩国; 代维菊; 罗淑龄 |
| 地址 | 云南省昆明市一二一大街文昌路68号 |
专利主权项内容
1.一种半桥电路并联无源均流电路，其特征在于：包括N个并联半桥模块，以半桥模块输出中点M为界分为上下两个部分，每个部分都由高频电流互感器电路、剩余电流泄放电路组成；所述高频电流互感器电路包括高频电流互感器、MOS管；所有高频电流互感器参数和规格完全相同；所述剩余电流泄放电路包括电阻，电容，快恢复二极管；上部分的所有高频电流互感器的一次侧绕组T1-1, T1-2, ...., T1-N依次串入各自所在的半桥模块中，其位置在上端MOS管源极输出和半桥模块中点M之间，上部分的所有高频电流互感器二次侧绕组T2-1, T2-2, …T2-N顺次串联，最后一个高频电流互感器的二次侧绕组T2-N的非同名端与第一个高频电流互感器的二次侧绕组T2-1的同名端再连接，且最后一个高频电流互感器二次侧绕组T2-N的非同名端通过一个电阻R3连接到直流电源的负极；下部分的所有高频电流互感器的一次侧绕组T3-1, T3-2, …T3-N依次串入各自所在的半桥模块中，其位置在半桥模块中点M与下端MOS管栅极之间，下部分的所有高频电流互感器二次侧绕组T4-1, T4-2, …T4-N顺次串联，最后一个高频电流互感器的二次侧绕组T4-N的非同名端与第一个高频电流互感器的二次侧绕组T4-1的同名端再连接，且最后一个高频电流互感器二次侧绕组T4-N的非同名端通过一个电阻R4连接到直流电源的负极；半桥模块1中上部分剩余电流泄放电路由电阻R1、电容C1和快恢复二极管D1组成，快恢复二极管D1阳极连接到直流电源的负极，电阻R1与电容C1并联，并联后一端与快恢复二极管D1阴极相连，并联后另一端连接到上端MOS管Q1源极；半桥模块1中下部分剩余电流泄放电路由电阻R2、电容C2和快恢复二极管D2组成，电阻R2与电容C2并联，快恢复二极管D2阳极与下端MOS管Q2栅极连接，快恢复二极管D2阴极与并联后的电阻R2和电容C2的一端连接，并联后的电阻R2和电容C2的另一端连接到直流电源的正极；其他半桥模块中剩余电流泄放电路连接方式均与半桥模块1中的剩余电流泄放电路相同；所述高频电流互感器的磁芯为高磁导率磁环；所述高频电流互感器的一次侧绕组由连接线穿过高磁导率磁环形成；所述高频电流互感器的二次侧绕组由带绝缘包裹的导线缠绕在高磁导率磁环上形成。