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自动提款机SHUTTER门继电器驱动电路

申请号: CN201811584742.8
申请人: 昆明理工大学津桥学院
申请日期: 2018年12月24日

摘要文本

本发明提供一种自动提款机SHUTTER门继电器驱动电路,其包括:包括二极管D1(1)、电阻R3(2)、电阻R4(3)、电磁阀RL1(4)、电阻R1(5)、电阻R2(6)、NPN三级管Q1(7)、N沟道MOSFET Q2(8)。本发明ATM机Shutter门控制信号经过电阻R2(6)到达NPN三级管Q1(7)基极,如果Shutter门控制信号为低电平,NPN三级管Q1(7)截止,N沟道MOSFET Q2(8)工作在饱和区全部导通,24V电磁阀RL1(4)得电吸合,其联动Shutter门机械结构动作打开ATM机Shutter门;如果Shutter门控制信号为高电平,NPN三级管Q1(7)导通,N沟道MOSFET Q2(8)截止,24V电磁阀RL1(4)失电松开,其联动Shutter门机械结构在重力作用下动作闭合锁定Shutter门。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 自动提款机SHUTTER门继电器驱动电路
专利类型 发明授权
申请号 CN201811584742.8
申请日 2018年12月24日
公告号 CN109403780B
公开日 2024年3月19日
IPC主分类号 E05F15/70
权利人 昆明理工大学津桥学院
发明人 熊浩; 黄毅华; 王毅; 张杨小宇; 马相彪
地址 云南省昆明市五华区高新技术开发区海源北路1268号昆明理工大学津桥学院

专利主权项内容

1.自动提款机SHUTTER门继电器驱动电路,其特征在于:包括二极管D1(1)、电阻R3(2)、电阻R4(3)、电磁阀RL1(4)、电阻R1(5)、电阻R2(6)、NPN三级管Q1(7)、N沟道MOSFET Q2(8);Shutter门控制信号输入端接电阻R1(5)上端、电阻R2(6)左端;所述NPN三级管Q1(7)基极接电阻R2(6)右端;电阻R1(5)下端、NPN三级管Q1(7)发射极、N沟道MOSFET Q2(8)漏极接地;+24VDC接电阻R3(2)上端、二极管D1(1)阴极、电磁阀RL1(4)输入端;所述电阻R4(3)上端接二极管D1(1)阳极;所述电阻R4(3)下端接N沟道MOSFET Q2(8)源极、电磁阀RL1(4)输出端;Shutter门控制信号经过电阻R2(6)到达NPN三级管Q1(7)基极,如果Shutter门控制信号为低电平,NPN三级管Q1(7)截止,N沟道MOSFET Q2(8)工作在饱和区全部导通,24V电磁阀RL1(4)得电吸合,其联动Shutter门开闭机械结构打开Shutter门;如果Shutter门控制信号为高电平,NPN三级管Q1(7)导通,N沟道MOSFET Q2(8)截止,24V电磁阀RL1(4)失电松开,其联动Shutter门机械开闭结构在重力作用下动作闭合锁定Shutter门,同时二极管D1(1)、电阻R4(3)、电磁阀RL1(4)组成的LRD泄放回路把N沟道MOSFET Q2(8)源极高压快速泄放,保护了电路安全;三极晶体管Q1(7)的型号为2N2369。 来自马-克-数-据