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基于厂务数据的晶圆良率控制方法、装置、设备及介质
摘要文本
本申请提供了一种基于厂务数据的晶圆良率控制方法、装置、设备及介质。该方法包括：获取当前制造的晶圆的基础厂务数据；其中，所述基础厂务数据包括晶圆制造过程中的水课参数、电课参数以及气化课参数中的至少一种；基于预先构建的机器学习模型从基础厂务数据中确定与晶圆良率相关联的关键厂务数据；所述关键厂务数据输入至所述机器学习模型，确定当前制造的晶圆预估良率是否达到预设阈值；若未达到预设阈值，则生成对所述关键厂务数据进行调整的指令。本技术方案，对于厂务数据的控制，提升晶圆良率，避免产生晶圆制造存在良率较低，且无法分析影响晶圆良率的成因的问题。 搜索专利查询网
申请人信息
- 申请人:上海朋熙半导体有限公司
- 申请人地址:201208 上海市浦东新区涵桥路619号金鼎天地C栋15-17楼
- 发明人: 上海朋熙半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 基于厂务数据的晶圆良率控制方法、装置、设备及介质 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311414825.3 |
| 申请日 | 2023/10/27 |
| 公告号 | CN117474387A |
| 公开日 | 2024/1/30 |
| IPC主分类号 | G06Q10/0639 |
| 权利人 | 上海朋熙半导体有限公司 |
| 发明人 | 蒋越; 张强 |
| 地址 | 上海市浦东新区涵桥路619号金鼎天地C栋15-17楼 |
专利主权项内容
1.一种基于厂务数据的晶圆良率控制方法，其特征在于，所述方法包括：获取当前制造的晶圆的基础厂务数据；其中，所述基础厂务数据包括晶圆制造过程中的水课参数、电课参数以及气化课参数中的至少一种；基于预先构建的机器学习模型从基础厂务数据中确定与晶圆良率相关联的关键厂务数据；将所述关键厂务数据输入至所述机器学习模型，确定当前制造的晶圆预估良率是否达到预设阈值；若未达到预设阈值，则生成对所述关键厂务数据进行调整的指令。