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超低漏电的ESD保护电路及芯片
摘要文本
本申请实施例提供一种超低漏电的ESD保护电路及芯片。其中，超低漏电的ESD保护电路的输入端与第一PIN脚连接，所述ESD保护电路的输出端与第二PIN脚连接；所述ESD保护电路包括串联的ESD模块和漏电控制模块，所述漏电控制模块的阻断电阻大于所述ESD模块的阻断电阻，以阻止所述第一PIN脚的电流经过所述ESD保护电路流出所述第二PIN脚。本申请实施例提供的超低漏电的ESD保护电路可以降低电路中的漏电流。
申请人信息
- 申请人:上海类比半导体技术有限公司
- 申请人地址:201203 上海市浦东新区张江高科达尔文路88号3幢5楼
- 发明人: 上海类比半导体技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 超低漏电的ESD保护电路及芯片 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311578461.2 |
| 申请日 | 2023/11/23 |
| 公告号 | CN117613834A |
| 公开日 | 2024/2/27 |
| IPC主分类号 | H02H9/00 |
| 权利人 | 上海类比半导体技术有限公司 |
| 发明人 | 陈原; 王建 |
| 地址 | 上海市浦东新区张江高科达尔文路88号3幢5楼 |
专利主权项内容
1.一种超低漏电的ESD保护电路，其特征在于，所述ESD保护电路的输入端与第一PIN脚连接，所述ESD保护电路的输出端与第二PIN脚连接；所述ESD保护电路包括串联的ESD模块和漏电控制模块，所述漏电控制模块的阻断电阻大于所述ESD模块的阻断电阻，以阻止所述第一PIN脚的电流经过所述ESD保护电路流出所述第二PIN脚。 （更多数据，详见马克数据网）