← 返回列表
HEMT器件及其制备方法
摘要文本
本发明提供一种HEMT器件及其制备方法。所述HEMT器件包括衬底、沟道层、势垒层、P型GaN栅极、栅极电极、源极电极及漏极电极；所述沟道层位于衬底上，所述势垒层位于沟道层上，势垒层和沟道层的界面处形成二维电子气；所述P型GaN栅极、源极电极及漏极电极间隔分布于势垒层上，所述栅极电极位于所述P型GaN栅极上方，源极电极和漏极电极位于P型GaN栅极的相对两侧，其中，所述HEMT器件中形成有钝化区，所述钝化区自所述P型GaN栅极的下部延伸到栅极与漏极电极之间的势垒层中，且所述钝化区与漏极电极具有间距。本发明有助于更加灵活地调制沟道电场，降低栅极靠近漏极一侧边缘漏电的效果，提升器件的击穿特性，且有助于提高后续光刻精度，提高器件制备良率。。
申请人信息
- 申请人:上海新微半导体有限公司
- 申请人地址:200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区飞渡路2020号
- 发明人: 上海新微半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | HEMT器件及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311313929.5 |
| 申请日 | 2023/10/11 |
| 公告号 | CN117393597A |
| 公开日 | 2024/1/12 |
| IPC主分类号 | H01L29/778 |
| 权利人 | 上海新微半导体有限公司 |
| 发明人 | 郭德霄; 雷嘉成 |
| 地址 | 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区飞渡路2020号 |
专利主权项内容
1.一种HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件包括衬底、沟道层、势垒层、P型GaN栅极、栅极电极、源极电极及漏极电极；所述沟道层位于衬底上，所述势垒层位于沟道层上，势垒层和沟道层的界面处形成二维电子气；所述P型GaN栅极、源极电极及漏极电极间隔分布于势垒层上，所述栅极电极位于所述P型GaN栅极上方，源极电极和漏极电极位于P型GaN栅极的相对两侧，其中，所述HEMT器件中形成有钝化区，所述钝化区自所述P型GaN栅极的下部延伸到P型GaN栅极与漏极电极之间的势垒层中，且所述钝化区与漏极电极具有间距。。百度搜索马 克 数 据 网