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晶圆缺陷检测方法、系统、设备及可读介质
摘要文本
本申请提供了一种晶圆缺陷检测方法、系统、设备及介质，方法包括当考虑缺陷半径时，构建R‑Tree存储当前晶圆层和前一晶圆层关系，遍历当前晶圆层，查找增加缺陷和共同缺陷；遍历前一晶圆层，查找缺失缺陷，确定缺陷类型；当不考虑缺陷半径时，构建KD‑Tree存储当前晶圆层和前一晶圆层关系，遍历当前晶圆层，查找增加缺陷和共同缺陷；遍历前一晶圆层，查找缺失缺陷，确定缺陷类型。通过在KD‑Tree和R‑Tree之间建立有效的映射和匹配，本申请能够实现准确且高效的Adder缺陷计算，从而提高了半导体制造过程中缺陷分析的效率和可靠性。
申请人信息
- 申请人:上海朋熙半导体有限公司
- 申请人地址:201208 上海市浦东新区涵桥路619号金鼎天地C栋15-17楼
- 发明人: 上海朋熙半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 晶圆缺陷检测方法、系统、设备及可读介质 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311455698.1 |
| 申请日 | 2023/11/3 |
| 公告号 | CN117352413A |
| 公开日 | 2024/1/5 |
| IPC主分类号 | H01L21/66 |
| 权利人 | 上海朋熙半导体有限公司 |
| 发明人 | 张强; 赵京雷; 蒋越 |
| 地址 | 上海市浦东新区涵桥路619号金鼎天地C栋15-17楼 |
专利主权项内容
1.一种晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括：当考虑缺陷半径时，构建R-Tree存储当前晶圆层和前一晶圆层关系，遍历当前晶圆层，查找增加缺陷和共同缺陷；遍历前一晶圆层，查找缺失缺陷，确定缺陷类型；当不考虑缺陷半径时，构建KD-Tree存储当前晶圆层和前一晶圆层关系，遍历当前晶圆层，查找增加缺陷和共同缺陷；遍历前一晶圆层，查找缺失缺陷，确定缺陷类型。