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基于SPDK的后端存储测试方法、装置及介质

申请号: CN202311861552.7
申请人: 中科驭数(北京)科技有限公司
申请日期: 2023/12/29

摘要文本

本公开涉及一种基于SPDK的后端存储测试方法、装置及介质,方法包括:在Target端创建与目标后端存储场景相对应的目标服务和第一后端存储;将第一后端存储的文件名加入到预设的存储位置中;在SoC端设置第二后端存储,创建操作接口,以及启动NVMe子系统;在Host端加载NVMe驱动,Host端通过Target端拉取NVMe磁盘;对NVMe磁盘进行测试。本公开能够通过SPDK实现不同后端存储,关于高吞吐、低延时和高可靠性的数据传输等多方面的测试,提高不同存储系统在实际场景下的稳定性和高性能。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 基于SPDK的后端存储测试方法、装置及介质
专利类型 发明申请
申请号 CN202311861552.7
申请日 2023/12/29
公告号 CN117667552A
公开日 2024/3/8
IPC主分类号 G06F11/22
权利人 中科驭数(北京)科技有限公司
发明人 孙国峰
地址 北京市海淀区北清路81号院一区4号楼14层1401室

专利主权项内容

1.一种基于存储性能开发工具包SPDK的后端存储测试方法,其特征在于,所述方法包括:在磁盘阵列Target端创建与目标后端存储场景相对应的目标服务和第一后端存储;将所述第一后端存储的文件名加入到预设的存储位置中;在系统级芯片SoC端设置第二后端存储,创建操作接口,以及启动非易失性内存主机控制器接口规范NVMe子系统;在主机Host端加载NVMe驱动,所述Host端通过所述Target端拉取NVMe磁盘;对所述NVMe磁盘的测试项目进行测试;其中,所述测试项目包括:NVMe性能、可靠性、集群配置和数据完整性。