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一种高功率大孔径基模涡旋光波导VCSEL相干阵列

申请号: CN202311653123.0
申请人: 北京工业大学
申请日期: 2023/12/5

摘要文本

本发明公开了一种高功率大孔径基模涡旋光波导VCSEL相干阵列,VCSEL相干阵列为大孔径阵列发光结构,包括N电极层、N型DBR、有源区层、P型DBR和P电极层;在VCSEL相干阵列的每个发光单元台面上的出光孔表面刻蚀有六方晶格排布的微纳结构孔隙,微纳结构孔隙内填充有高掺杂半导体透明材料,以形成涡旋光波导结构。本发明在传统VCSEL阵列激光器结合涡旋光波导结构及P电极层,实现光波导横向及纵向调控、电流横向及纵向注入和热量的横向及纵向传导,最终实现大孔径的高功率高相干基模VCSEL阵列,解决传统VCSEL激光器阵列功率低、光束质量差、P型DBR电阻及热阻过大、阵列积热严重等问题。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种高功率大孔径基模涡旋光波导VCSEL相干阵列
专利类型 发明申请
申请号 CN202311653123.0
申请日 2023/12/5
公告号 CN117613666A
公开日 2024/2/27
IPC主分类号 H01S5/042
权利人 北京工业大学
发明人 代京京; 罗建军; 王智勇; 李尉
地址 北京市朝阳区平乐园100号北京工业大学

专利主权项内容

1.一种高功率大孔径基模涡旋光波导VCSEL相干阵列,VCSEL相干阵列为大孔径阵列发光结构,包括N电极层、N型DBR、有源区层、P型DBR和P电极层;其特征在于,在VCSEL相干阵列的每个发光单元台面上的出光孔表面刻蚀有六方晶格排布的微纳结构孔隙,所述微纳结构孔隙内填充有高掺杂半导体透明材料,以形成涡旋光波导结构。。来源:马 克 数 据 网