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薄膜体声波谐振器及其制造方法和相关设备

申请号: CN202310063987.0
申请人: 北京芯溪半导体科技有限公司
申请日期: 2023/1/12

摘要文本

本公开涉及薄膜体声波谐振器及其制造方法和相关设备。谐振器包括具有空腔的衬底、设置在衬底上的第一电极层、设置在第一电极层上的压电材料层和设置在压电材料层上的第二电极层。空腔、第一电极层、压电材料层与第二电极层的重叠区域形成有效区域。谐振器包括沿有效区域边界靠近压电材料层上表面设置在压电材料层中的第一空气环槽和沿有效区域边界设置在压电材料层与第二电极层之间的第二空气环槽。第一空气环槽与第二空气环槽相互连通。在非连接边处:第一空气环槽内边界在空腔边界之内并且外边界在空腔边界之外;第二空气环槽内边界和外边界均在空腔边界之内;第一空气环槽内边界相比于第二空气环槽内边界更靠近有效区域中心。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 薄膜体声波谐振器及其制造方法和相关设备
专利类型 发明申请
申请号 CN202310063987.0
申请日 2023/1/12
公告号 CN117595818A
公开日 2024/2/23
IPC主分类号 H03H9/02
权利人 北京芯溪半导体科技有限公司
发明人 万晨庚
地址 北京市海淀区西四环北路158号1幢十一层590号

专利主权项内容

1.一种薄膜体声波谐振器,包括:衬底,包括靠近所述衬底的上表面设置在所述衬底中的空腔;第一电极层,设置在所述衬底之上;压电材料层,设置在所述第一电极层之上;以及第二电极层,设置在所述压电材料层之上,其中,从垂直于所述衬底的上表面的方向看:所述空腔、所述第一电极层、所述压电材料层与所述第二电极层的重叠区域形成所述薄膜体声波谐振器的有效区域;所述薄膜体声波谐振器还包括沿着所述有效区域的边界靠近所述压电材料层的上表面设置在所述压电材料层中的第一空气环槽,以及沿着所述有效区域的边界设置在所述压电材料层的上表面与所述第二电极层的下表面之间的第二空气环槽,所述第一空气环槽与所述第二空气环槽相互连通;并且在所述薄膜体声波谐振器的非连接边处,所述第一空气环槽的靠近所述有效区域的中心的内边界在所述空腔的边界之内并且所述第一空气环槽的远离所述有效区域的中心的外边界在所述空腔的边界之外,所述第二空气环槽的靠近所述有效区域的中心的内边界和所述第二空气环槽的远离所述有效区域的中心的外边界均在所述空腔的边界之内,所述第一空气环槽的内边界相比于所述第二空气环槽的内边界更靠近所述有效区域的中心。