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一种薄壁-多类点阵填充结构一体化设计方法

申请号: CN202311530418.9
申请人: 北京理工大学
申请日期: 2023/11/16

摘要文本

本发明提供一种薄壁‑多类点阵填充结构一体化设计方法,该薄壁‑多类点阵填充结构一体化设计方法通过三步PDE滤波和Heaviside投影识别薄壁层和填充层,基于多响应高斯隐变量模型建立单胞属性‑力学性能的连续函数映射,实现点阵单胞力学性能快速预测,构建薄壁填充结构多尺度材料插值模型,通过对整体结构和填充点阵构型协同优化,实现薄壁‑多类点阵填充结构一体化设计。本发明实现了结构设计区域内薄壁层识别、填充层内不同构型点阵单胞构型及密度的协同优化,扩展了单一材料填充薄壁结构的设计自由度,提高了填充薄壁结构的力学性能。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种薄壁-多类点阵填充结构一体化设计方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311530418.9
申请日 2023/11/16
公告号 CN117473836A
公开日 2024/1/30
IPC主分类号 G06F30/23
权利人 北京理工大学
发明人 白影春; 季炜; 张泽辉
地址 北京市海淀区中关村南大街5号

专利主权项内容

1.一种薄壁-多类点阵填充结构一体化设计方法,其特征在于,所述薄壁-多类点阵填充结构一体化设计方法包括以下步骤:步骤1:结合拟采用的N≥2种不同构型的点阵单胞数据库,通过试验设计方法对所有构型点阵单胞进行密度采样获取N个样本数据,采用均匀化理论计算样本点阵单胞的等效弹性矩阵,并基于点阵单胞样本数据构建点阵密度场v和点阵构型场z(i=1, ..., n)与等效弹性矩阵的多响应高斯隐变量预测模型,响应数为N;clsdatairesp步骤2:根据设计要求建立有限元模型,并确定非设计域和设计域,选取整体拓扑场μ、点阵密度场v和点阵构型场z(i=1, ..., n)为设计变量,建立以结构柔度为目标、质量分数为约束的第一阶段优化模型,对第一阶段优化模型的关键参数进行初始化;i步骤3:基于点阵密度场v、点阵构型场z(i=1, ..., n)计算多响应高斯隐变量预测模型中点阵单胞等效弹性矩阵D,其中n代表多响应高斯隐变量空间的维度;ilattice步骤4:基于整体拓扑场μ,结合三步滤波法和Heaviside投影,获得填充密度场和薄壁密度场/>步骤5:根据点阵单胞等效弹性矩阵D与填充密度场计算填充层弹性矩阵D,引入惩罚函数;latticeinfill步骤6:根据填充密度场薄壁密度场/>与填充层弹性矩阵D,结合薄壁填充结构多尺度材料插值模型,获得设计域内单元的弹性矩阵D和质量密度m:infill步骤7:结合宏观多尺度材料插值模型进行有限元分析,获得结构的柔度;步骤8:求解获得结构柔度和质量分数关于设计变量的灵敏度;步骤9:根据优化问题数学模型确定的目标函数和约束条件,将灵敏度提交移动渐近线算法求解器更新整体拓扑场μ、点阵密度场v与点阵构型场z;i步骤10:如果第k迭代步时,迭代次数k≥200或设计变量的最大变化小于0.01,则认为满足收敛条件,迭代停止并输出整体拓扑场μ和点阵构型场z,否则重复步骤3至步骤9;i步骤11:基于已有的整体拓扑场μ和点阵构型场z,以点阵密度场v为优化变量,建立以结构柔度作为优化目标、体积分数作为约束条件建立第二阶段优化模型,重复步骤3至步骤9的内容;i步骤12:如果第k迭代步时,设计变量的最大变化小于0.01,则认为满足收敛条件,停止迭代并输出结果,否则重复步骤11。。