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一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备
摘要文本
本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：提供一衬底，衬底为晶圆；在衬底上形成有源结构，有源结构包括第一部分和第二部分；在有源结构上沉积半导体材料，以形成伪栅结构；在伪栅结构的第三部分的两侧形成第一晶体管的源结构和漏结构；对晶圆进行倒片，并去除衬底；在伪栅结构的第四部分的两侧形成第二晶体管的源结构和漏结构；刻蚀伪栅结构，以形成第一槽；在第一槽处分别形成第一晶体管的第一栅极结构和第二晶体管的第二栅极结构，第一栅极结构和第二栅极结构在垂直方向上自对准。
申请人信息
- 申请人:北京大学
- 申请人地址:100871 北京市海淀区颐和园路5号
- 发明人: 北京大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311226981.7 |
| 申请日 | 2023/9/21 |
| 公告号 | CN117352459A |
| 公开日 | 2024/1/5 |
| IPC主分类号 | H01L21/8234 |
| 权利人 | 北京大学 |
| 发明人 | 吴恒; 葛延栋; 卢浩然; 王润声; 黎明; 黄如 |
| 地址 | 北京市海淀区颐和园路5号 |
专利主权项内容
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底为晶圆；在所述衬底上形成有源结构，所述有源结构包括第一部分和第二部分；在所述有源结构上沉积半导体材料，以形成伪栅结构；在所述伪栅结构的第三部分的两侧形成第一晶体管的源结构和漏结构，所述第三部分为所述伪栅结构中与所述第一部分对应的部分；对所述晶圆进行倒片，并去除所述衬底；在所述伪栅结构的第四部分的两侧形成第二晶体管的源结构和漏结构，所述第四部分为所述伪栅结构中与所述第二部分对应的部分；刻蚀所述伪栅结构，以形成第一槽；在所述第一槽处分别形成所述第一晶体管的第一栅极结构和所述第二晶体管的第二栅极结构，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构在垂直方向上自对准。 详见官网：