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一种热光移相器
摘要文本
本发明涉及光通信电子器件技术领域，提供了一种热光移相器，包括：衬底、包层、多层芯层波导网络及热源；其中，包层位于衬底的上表面；各芯层波导网络位于包层的内部，在相对于衬底上表面的垂直方向上分层设置，相邻的两层芯层波导网络的波导路径在衬底上的投影至少有部分重合或部分交叠；热源设于包层的内部，位于多层芯层波导网络的上方，并与至少部分多层芯层波导网络在衬底上的投影有相交区域。本发明的热光移相器充分利用空间，降低移相功耗，有效提高热光移相器的移相效率，缩小热光移相器体积，使得该热光移相器设计灵活兼容现有硅基工艺，降低实现成本。 数据由马 克 数 据整理
申请人信息
- 申请人:中国科学院半导体研究所
- 申请人地址:100083 北京市海淀区清华东路甲35号
- 发明人: 中国科学院半导体研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种热光移相器 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311558181.5 |
| 申请日 | 2023/11/21 |
| 公告号 | CN117492236A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | G02F1/01 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 发明人 | 李明; 李昂; 谢毓俊; 孙雨舟; 杨先超; 任之良; 赵志勇; 李伟; 祝宁华 |
| 地址 | 北京市海淀区清华东路甲35号 |
专利主权项内容
1.一种热光移相器，其特征在于，包括：衬底、包层、多层芯层波导网络及热源；其中，所述包层位于所述衬底的上表面；各所述芯层波导网络位于所述包层的内部，在相对于所述衬底上表面的垂直方向上分层设置，相邻的两层所述芯层波导网络的波导路径在所述衬底上的投影至少有部分重合或部分交叠；所述热源设于所述包层的内部，位于所述多层芯层波导网络的上方，并与至少部分所述多层芯层波导网络在所述衬底上的投影有相交区域。