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偏振无关耦合器
摘要文本
本发明提供一种偏振无关耦合器，涉及硅光子集成电路的技术领域，其包括：基底；第一包覆层，设于基底上；直波导，设于第一包覆层内且沿第一方向布设，直波导被配置为传输光波；弯曲波导，设于第一包覆层内且沿第二方向布设，第一方向和第二方向相垂直，弯曲波导的第一端与直波导的第二端相连接；第二包覆层，设于第一包覆层上；模斑变换波导，设于第二包覆层内，模斑变换波导的第一端与弯曲波导的第二端相连接，模斑变换波导被配置为逐步扩大光模场以实现与单模光纤的光模场匹配。本发明同时保留了端面耦合和垂直耦合的优点，既有利于进行晶圆级光学测试，也能实现操作带宽大、耦合效率高、测试位置灵活的效果。。数据由马 克 团 队整理
申请人信息
- 申请人:中国科学院半导体研究所
- 申请人地址:100083 北京市海淀区清华东路甲35号
- 发明人: 中国科学院半导体研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 偏振无关耦合器 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311551283.4 |
| 申请日 | 2023/11/21 |
| 公告号 | CN117492134A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | G02B6/12 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 发明人 | 李明; 曹旭华; 谢毓俊; 孙雨舟; 杨先超; 任之良; 赵志勇; 李伟; 祝宁华 |
| 地址 | 北京市海淀区清华东路甲35号 |
专利主权项内容
1.一种偏振无关耦合器，其特征在于，包括：基底(1)；第一包覆层(2)，设于所述基底(1)上；直波导(3)，设于所述第一包覆层(2)内且沿第一方向(D1)布设，所述直波导(3)被配置为传输光波；弯曲波导(4)，设于所述第一包覆层(2)内且沿第二方向(D2)布设，所述第一方向(D1)和所述第二方向(D2)相垂直，所述弯曲波导(4)的第一端与所述直波导(3)的第二端相连接，所述弯曲波导(4)被配置为改变光波的传播方向；第二包覆层(5)，设于所述第一包覆层(2)上；模斑变换波导(6)，设于所述第二包覆层(5)内，所述模斑变换波导(6)的第一端与所述弯曲波导(4)的第二端相连接，所述模斑变换波导(6)的第二端用于与光纤对接，所述模斑变换波导(6)被配置为逐步扩大光模场以实现与单模光纤的光模场匹配。