高纯锗晶体及高纯锗探测器

摘要文本

本实用新型提供了一种高纯锗晶体及高纯锗探测器，涉及探测器技术领域。该高纯锗晶体包括：第一端部，在所述第一端部的外表面分布有P+电极；第二端部，与所述第一端部相对设置，在所述第二端部的外表面分布有N+电极；侧边台阶，设置在所述第二端部周向的预定范围内；其中，所述N+电极覆盖所述侧边台阶的底部和侧壁形成翻边。利用N+电极覆盖所述侧边台阶的底部和侧壁形成翻边，以提供高纯锗晶体装配中的工具夹持或是触碰区域，也可以防止装配操作过程中接触到探测器其他区域，使得在装配操作过程中即使接触洁净的工具/器皿都不会因轻微损坏或是污染电极导致功能失效，有利于减少装配过程中电极污染及损伤进而提高成品率。