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体声波谐振器及其制造方法、滤波器和电子设备
摘要文本
本公开涉及体声波谐振器及其制造方法、滤波器和电子设备。体声波谐振器包括：压电材料层，所述压电材料层呈平坦状；第一电极层，所述第一电极层设置在所述压电材料层之下；第二电极层，所述第二电极层设置在所述压电材料层之上；以及电极补偿层，所述电极补偿层设置在所述第一电极层之下，其中，在所述电极补偿层和所述第一电极层之间限定空腔，所述空腔被配置作为所述体声波谐振器的声学反射镜，并且其中，在所述空腔的边界之外，所述电极补偿层与所述第一电极层彼此电连接。
申请人信息
- 申请人:北京芯溪半导体科技有限公司
- 申请人地址:100142 北京市海淀区西四环北路158号1幢十一层590号
- 发明人: 北京芯溪半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 体声波谐振器及其制造方法、滤波器和电子设备 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202310118370.4 |
| 申请日 | 2023/2/2 |
| 公告号 | CN117639713A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | H03H9/17 |
| 权利人 | 北京芯溪半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 万晨庚 |
| 地址 | 北京市海淀区西四环北路158号1幢十一层590号 |
专利主权项内容
1.一种体声波谐振器，包括：压电材料层，所述压电材料层呈平坦状；第一电极层，所述第一电极层设置在所述压电材料层之下；第二电极层，所述第二电极层设置在所述压电材料层之上；以及电极补偿层，所述电极补偿层设置在所述第一电极层之下，其中，在所述电极补偿层和所述第一电极层之间限定空腔，所述空腔被配置作为所述体声波谐振器的声学反射镜，并且其中，在所述空腔的边界之外，所述电极补偿层与所述第一电极层彼此电连接。