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离子阱芯片参数修正方法及装置、电子设备和介质

申请号: CN202311444852.5
申请人: 北京百度网讯科技有限公司
申请日期: 2023/11/1

摘要文本

本公开提供了一种离子阱芯片参数修正方法、装置、电子设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品,涉及量子计算机领域,尤其涉及离子阱芯片技术领域。实现方案为:确定离子阱芯片中第一离子的本征声子频率;执行以下操作多次:调节激光器的功率值并确定当前功率值下激光器照射到第一离子后的等效振幅;获取并设置激光器的第二脉冲持续时间,改变激光器通过分束器分成的两束激光之间的频率差,以确定每个频率差下第一离子处于激发态的第二概率;基于第二概率随频率差的变化确定第一声子频率;确定第一声子频率和本征声子频率之间的差值;以及基于等效振幅与相应差值的对应关系进行函数拟合,以基于拟合函数对相应等效振幅下的声子频率进行修正。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 离子阱芯片参数修正方法及装置、电子设备和介质
专利类型 发明申请
申请号 CN202311444852.5
申请日 2023/11/1
公告号 CN117454997A
公开日 2024/1/26
IPC主分类号 G06N10/20
权利人 北京百度网讯科技有限公司
发明人 黄晨; 汪景波
地址 北京市海淀区上地十街10号百度大厦2层

专利主权项内容

1.一种离子阱芯片参数修正方法,包括:确定所述离子阱芯片中待标定的第一离子的位置;获取并设置激光器的初始功率值,以使得所述激光器照射到所述第一离子后的等效振幅小于第一阈值;获取并设置所述激光器的第一脉冲持续时间,并改变所述激光器通过分束器分成的两束激光之间的频率差,以确定在每个频率差下所述第一离子处于激发态的第一概率;基于所述第一概率随所述频率差的变化,确定本征声子频率;执行以下操作N次,N为大于等于2的正整数:调节所述激光器的功率值,并确定当前功率值下所述激光器照射到所述第一离子后的等效振幅;获取并设置所述激光器的第二脉冲持续时间,并改变所述激光器通过分束器分成的两束激光之间的频率差,以确定在每个频率差下所述第一离子处于激发态的第二概率;基于所述第二概率随所述频率差的变化,确定第一声子频率;确定所述第一声子频率和所述本征声子频率之间的差值;以及基于所述等效振幅与相应的所述差值之间的对应关系进行函数拟合,以使得基于拟合得到的函数对相应等效振幅下的声子频率进行修正。 (来 自 马 克 数 据 网)