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一种二氧化硅载体表面羟基调控方法应用于合成甲基丙烯酸甲酯催化剂的制备
摘要文本
本发明公开了一种二氧化硅载体表面羟基调控方法应用于合成甲基丙烯酸甲酯催化剂的制备，主要包括载体的处理和催化剂的制备。其中载体的处理包含离子热法处理、脉冲程序焙烧处理和过氧化物处理。不同方式处理后的载体可为后续负载活性组分提供合适范围含量的硅羟基，减少活性组分发生团簇的可能性，进而提高催化活性，且此法制备简单易行，不需利用传统的有机硅烷化试剂，可适用于后续大规模工业化应用。
申请人信息
- 申请人:中国科学院过程工程研究所
- 申请人地址:100190 北京市海淀区中关村北二条1号
- 发明人: 中国科学院过程工程研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种二氧化硅载体表面羟基调控方法应用于合成甲基丙烯酸甲酯催化剂的制备 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311528877.3 |
| 申请日 | 2023/11/16 |
| 公告号 | CN117563577A |
| 公开日 | 2024/2/20 |
| IPC主分类号 | B01J21/08 |
| 权利人 | 中国科学院过程工程研究所 |
| 发明人 | 李春山; 严婷婷; 王刚; 张国梁; 赵辉; 邓森林; 赵恺; 张锁江 |
| 地址 | 北京市海淀区中关村北二街1号 |
专利主权项内容
1.一种二氧化硅载体表面羟基调控方法应用于合成甲基丙烯酸甲酯催化剂的制备，其特征在于该方法包含以下：(a)离子热法处理：取适量的乙醇胺乙酸盐于烧杯中，再置于设定温度下的油浴锅内进行搅拌，之后称取一定质量的二氧化硅载体加入上述的油浴锅内，油浴锅温度保持在120℃的同时搅拌1-3h。处理结束后，离心收集固体产物，在120℃下干燥6h，最后在500℃下煅烧4h，压片后得到处理后的载体；(b)脉冲程序焙烧处理：称取一定质量的二氧化硅载体置于坩埚内，选择脉冲的程序焙烧，第一步通过控制器进行脉冲信号频率的调控，在一定的频率下升温并保持在500℃下3h，之后增加频率信号使其在800℃下保持5h，结束后自然冷却至室温，最后得到脉冲程序焙烧处理后的载体；(c)过氧化物处理：将一定质量的二氧化硅载体放入三颈烧瓶中，加入30mL质量分数为5％的过氧化物与氨水混合后，在油浴锅内恒温100℃搅拌处理5h，保证处理过程中冷凝回流以及有释放分解气体的出口，将得到的载体在50℃的干燥箱内恒温干燥3h。得到过氧化物处理后的载体。