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单通道脑电信号中的眼电伪迹的检测方法
摘要文本
本申请提出一种单通道脑电信号中的眼电伪迹的检测方法，其包括：对单通道脑电信号加滑窗处理，分别计算每个窗口内的高阶累积量；通过高阶累积量局部极大值确定眼电伪迹的起始端点和终止端点，由此确定单通道脑电信号中的眼电伪迹的位置。本申请的单通道脑电信号中的眼电伪迹的检测方法，在检测过程中不依赖先验条件，能够准确地识别或检测眼电发生位置，方便后续的滤除操作可以针对眼电伪迹发生的位置高效和准确地进行。
申请人信息
- 申请人:中国人民解放军总医院
- 申请人地址:100853 北京市海淀区复兴路28号
- 发明人: 中国人民解放军总医院
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 单通道脑电信号中的眼电伪迹的检测方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311406313.2 |
| 申请日 | 2023/10/27 |
| 公告号 | CN117379066A |
| 公开日 | 2024/1/12 |
| IPC主分类号 | A61B5/369 |
| 权利人 | 中国人民解放军总医院 |
| 发明人 | 王国静; 王卫东; 刘洪运 |
| 地址 | 北京市海淀区复兴路28号 |
专利主权项内容
1.一种单通道脑电信号中的眼电伪迹的检测方法，其包括：对单通道脑电信号加滑窗处理，分别计算每个窗口内的高阶累积量；通过高阶累积量局部极大值确定眼电伪迹的起始端点和终止端点，由此确定单通道脑电信号中的眼电伪迹的位置。