一种提高增强型GaN HEMT短路能力的方法及其器件结构

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本发明公开了一种提高增强型GaN HEMT短路能力的方法及其器件结构。在传统结构增强型GaN HEMT的栅源之间紧邻源极区域的有源区沉积金属，该金属与传统结构增强型GaN HEMT的源极直接相连，形成一个传统结构增强型GaN HEMT与栅源短接的耗尽型氮化镓高电子迁移率晶体管(D‑mode GaN HEMT)相结合的复合结构，成为一个短路能力提高的完整的增强型GaN HEMT。本发明通过D‑mode GaN HEMT钳制住整个器件的饱和电流，可以降低增强型GaN HEMT的饱和电流密度，最终实现提高短路能力的目的。