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垂直霍尔传感器及制造方法、芯片
摘要文本
本发明涉及磁传感器领域，提供一种垂直霍尔传感器及制造方法、芯片。所述垂直霍尔传感器包括：硅衬底、垂直嵌入硅衬底内的电源激励电极以及形成于硅衬底表面的霍尔电压检测电极，电源激励电极包括至少一个外围电源激励电极以及至少一个中间电源激励电极，霍尔电压检测电极位于外围电源激励电极与中间电源激励电极之间。其中，电源激励电极是通过在硅衬底中刻蚀形成深沟槽，在深沟槽内填充重掺杂的多晶硅和金属形成的。本发明采用沟槽电极结构的电源激励电极，避免了离子注入工艺形成掺杂区不均匀的问题，有效提高垂直霍尔传感器的灵敏度，减小零偏。
申请人信息
- 申请人:北京智芯微电子科技有限公司
- 申请人地址:100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
- 发明人: 北京智芯微电子科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 垂直霍尔传感器及制造方法、芯片 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311364146.X |
| 申请日 | 2023/10/20 |
| 公告号 | CN117098447B |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | H10N52/01 |
| 权利人 | 北京智芯微电子科技有限公司 |
| 发明人 | 姜帅; 孙恒超; 方东明; 杜君; 李良; 闻志国; 季润可; 陶毅; 王蔓蓉; 银钧; 牛长胜 |
| 地址 | 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼 |
专利主权项内容
1.一种垂直霍尔传感器，其特征在于，包括：硅衬底、垂直嵌入硅衬底内的电源激励电极以及形成于硅衬底表面的霍尔电压检测电极；所述电源激励电极包括至少一个外围电源激励电极以及至少一个中间电源激励电极，所述霍尔电压检测电极位于外围电源激励电极与中间电源激励电极之间；所述电源激励电极包括多晶硅和金属接触电极，多晶硅和金属电极均嵌入硅衬底内，嵌入硅衬底内的多晶硅包覆于金属接触电极的外壁；所述电源激励电极是通过在硅衬底中刻蚀形成深沟槽，在深沟槽内填充重掺杂的多晶硅和金属形成的，所述重掺杂的多晶硅与所述深沟槽的侧壁和底部直接完全接触。 马-克-数据