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单通道脑电信号中的眼电伪迹位置确定方法

申请号: CN202311622092.2
申请人: 中国人民解放军总医院
申请日期: 2023/11/30

摘要文本

本申请提出一种单通道脑电信号中的眼电伪迹位置确定方法,先通过计算滑动窗口内的高阶累积量来初步定位眼电发生的区间,然后再结合该区间内眼电的峰值,来调整初步起始位置和终止位置,准确识别眼电伪迹的区间的两端,最终实现眼电伪迹位置准确确定。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 单通道脑电信号中的眼电伪迹位置确定方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311622092.2
申请日 2023/11/30
公告号 CN117503162A
公开日 2024/2/6
IPC主分类号 A61B5/369
权利人 中国人民解放军总医院
发明人 王国静; 王卫东; 刘洪运
地址 北京市海淀区复兴路28号

专利主权项内容

1.一种单通道脑电信号中的眼电伪迹位置确定方法,其包括:对单通道脑电信号加滑窗处理,分别计算每个窗口内的高阶累积量;通过高阶累积量局部极大值确定眼电伪迹的起始端点和终止端点,由此确定单通道脑电信号中的眼电伪迹的初步起始位置(D)和初步终止位置(D1);计算得到眼电伪迹峰值(P)的位置(O);执行初步起始位置(D)正确与否的判断步骤;该判断步骤包括:判断初步起始位置(D)和眼电伪迹峰值(P)的位置(O)的中点位置处对应的眼电幅值是否为眼电伪迹峰值(P)的0.4-0.6倍;如果判断结果为是,则认为初步起始位置(D)的确定是准确的,将初步起始位置(D)作为眼电伪迹起点;如果判断结果为否,则调整初步起始位置(D)的位置后重新执行初步起始位置(D)正确与否的判断步骤,直至判断结果为是;执行初步终止位置(D1)正确与否的判断步骤;该判断步骤包括:判断初步终止位置(D)和眼电伪迹峰值(P)的位置(O)的中点位置处对应的眼电幅值是否为眼电伪迹峰值(P)的0.4-0.6倍;如果判断结果为是,则认为初步终止位置(D1)的确定是准确的,将初步终止位置(D1)作为眼电伪迹终点;如果判断结果为否,则调整初步终止位置(D1)的位置后重新执行初步终止位置(D1)正确与否的判断步骤,直至判断结果为是。